Двухпроводная последовательная микросхема памяти CMOS EEPROM FM24C512A

Двухпроводная последовательная микросхема памяти CMOS EEPROM FM24C512A

Двухпроводная последовательная микросхема памяти CMOS EEPROM FM24C512A содержит 524,288 бит последовательного электрически стираемого и программируемого постоянного запоминающего устройства EEPROM с организацией памяти в виде 65,536 слов по 8 бит в каждом. Микросхемы содержат входы задания адреса на последовательной двухпроводной шине, которые позволяют подключить к одной последовательной шине до 8 микросхем. Микросхемы памяти оптимизированы для использования во многих промышленных и коммерческих приложениях, где важны малая потребляемая мощность и работа при низком напряжении питания.

Компания Fudan Microelectronic - это один из ведущих производителей и поставщиков двухпроводных последовательных микросхем памяти CMOS EEPROM в Китае. Мы предлагаем широкий ассортимент продукции: чипы для бесконтактных карт с интегральной схемой (512 бит), мнтегральные схемы маломощного устройства защитного отключения, чипы для смарт-карт (8 Кб) и пр.

Другие названия продукта:
Память CMOS EEPROM | Микросхема памяти CMOS EEPROM с последовательным интерфейсом | Чип EEPROM

Обратная связь
Другие продукты